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一骑绝尘 三星96层3D V-NAND闪存开始量产

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文章摘要:一骑绝尘 三星96层3D V,控烟办公室工作人员基本由大学本科以上的高学历水平人员担当,香港警务人员会为专职控烟督察提供专业培训,以应对日常执法及可能遇到的问题。党和国家事业取得历史性成就、发生历史性变革深刻昭示:打铁必须自身硬,必须以党的自我革命来推动党领导人民进行的伟大社会革命。按照选举委员会此前的说法,各省份需要重新计票的投票箱应在严密安保措施下送到首都巴格达封存。,(记者黄鑫)+1  蓬佩奥通过社交媒体平台说,哈里斯在维系美韩同盟关系、最终实现朝鲜“完全、可验证的”无核化方面还有很多工作要做。操作流程过半,指挥员突然叫停,再次分发抽签卡,重新分配号位,随机增加特情处置科目。。

2018-07-11 00:15 新疆时时彩开奖 A+

  【PConline 资讯】近两年3D NAND发展速度十分迅猛,2018年各大厂商的之间的堆叠大战一直在进行着,目前市场中的主流产品堆叠层数各家基本持平,都保持在64层的阶段。但是这一平衡即将被打破,三星电子宣布第五代V-NAND 3D堆叠闪存已经开始量产,其堆叠层数达到96层,堆叠层数为业界最高。

  三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存采用的是TLC颗粒,内部包含超过850亿个3D TLC CTF存储单元,每个单元可以存储三位数据,核心容量为256GB,虽然没有容量方面没有夸张式的增长,但是性能表现却十分惊人。

  首先,三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口,传输速率提升至1.4Gbps,与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。其写入速度为500us,比前代64层堆栈的V-NAND 3D堆叠闪存快了30%的同时,读取响应速度缩至50us。工作电压由上一代的1.8V优化至1.2V,极大的降低了实际的功耗。

  此外,三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存在生产工艺方面也做出了改进,全新的工艺将没个单元高度降低了20%减少了单元之间的干扰,让数据交换处理变得更加有效率,一系列改进促使其生产效率提高了30%。

  据了解,三星目前正在全力扩大第五代V-NAND 3D堆叠闪存的生产线以增加产量。另外还有消息称,三星正在计划开发1TB(128GB)容量的QLC V-NAND闪存颗粒,来降低超大容量的SSD产品售价,以满足服务器、超算等高密度存储领域需求。

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